Unsere SiC-Schneidlösung verwendet eine endlose Diamantdrahtsäge mit einer Schnittfuge von 0,35 mm – wodurch 60% Material eingespart werden, das durch Bandsägestaub verloren geht, und 2–3 zusätzliche Wafer pro Ingot gewonnen werden.
Siliziumkarbid (SiC) erreicht auf der Mohs-Härteskala einen Wert von 9,5 – nur Diamant weist eine höhere Härte auf. Die Kombination aus extremer Härte, Sprödigkeit und hoher Wärmeleitfähigkeit macht es besonders schwierig, es sauber zu schneiden. Die Wahl des richtigen Materials ist daher entscheidend. SiC-Schneidlösung ist entscheidend: Die falsche Methode zerstört genau die Materialeigenschaften, die SiC so wertvoll machen.
Beide Formen erfordern eine SiC-Schneidlösung that applies minimal cutting force to prevent micro-cracking — while delivering the geometry flexibility that sintered SiC industrial applications require.
Drei Verfahren dominieren heute die Siliziumkarbidverarbeitung. Das Verständnis ihrer Vor- und Nachteile ist der erste Schritt zur Auswahl des richtigen Verfahrens. SiC-Schneidlösung for your production volume, surface quality requirements, and material cost constraints.
| Metrisch | Bandsäge | Trennscheibe für Innenausbau | ★ Endlose Drahtsäge (Vimfun) |
|---|---|---|---|
| Schnittbreite | 1,0 – 1,5 mm | 0,3 – 0,5 mm | ✔ 0,35 – 0,45 mm |
| Qualität der Schnittfläche | Wellig, rau | Gut, begrenzte Größe | ✔ Flach, Ra < 1,0 μm |
| Maximale Werkstückgröße | Groß | Klein (< Ø 200 mm) | ✔ Bis zu 800 × 800 mm |
| Schnittspannung auf das Material | Hohe Vibrationen | Mittel | ✔ Kaltes Schneiden mit geringer Kraft |
| Fähigkeit zur Herstellung komplexer Formen | ✕ Nur geradeaus | ✕ Nur geradeaus | ✔ 2D-Profile & 3D-Verjüngungen |
| ROI pro SiC-Ingot | Ausgangswert | Mäßiger Gewinn | ✔ +2–3 zusätzliche Wafer pro Ingot |
Video: Splitting a Silicon Carbide (SiC) Tube with Vimfun Endless Diamond Wire Saw
Was macht Vimfun's aus? SiC-Schneidlösung different is the endless loop wire technology. The wire forms a closed circle running at up to 80 m/s — no reversal marks, no vibration spikes, and no directional inconsistency.
0,35 mm Draht im Vergleich zu 1,2 mm Bandsäge. Bei teurem SiC-Kristall führt jeder Millimeter Einsparung direkt zu einer geringeren Ausbeute.
Besonders ebene Schnittflächen verkürzen die Planschleifzeit und erhalten die Barrenlänge, wodurch mehr Wafer pro Boule gewonnen werden können.
Die hohe Umfangsgeschwindigkeit sorgt für eine glatte Ra-Oberflächengüte und eine gleichmäßige Schleifwirkung über die gesamte Schnittbreite.
Die Maschinen der SVI-Serie verarbeiten SiC-Blöcke bis zu 800 × 800 mm – einschließlich 6-Zoll- und 8-Zoll-Boules.
Profilschnitte, Kegelschnitte und Innenkonturschnitte – über das gerade Schneiden hinaus für komplexe SiC-Bauteilformen.
Senden Sie Ihre SiC-Probe an Vimfun. Sie erhalten kostenlos einen vollständigen Bericht zur Oberflächenqualität und eine Schnittfugenmessung.
Dieses Video demonstriert, wie unser SiC-Schneidlösung extracts maximum value from sintered SiC material. From a single Ø150mm SiC disc, the SGI 20 cuts 7 circular wafer blanks of Ø47mm — using contour cutting to trace each wafer's profile precisely with minimal kerf loss between parts.
Die Eigenschaften von Siliziumkarbid – hohe Durchbruchspannung, Wärmeleitfähigkeit und Elektronenbeweglichkeit – machen es in schnell wachsenden Branchen unverzichtbar. Vimfuns SiC-Schneidlösung is trusted by manufacturers in each of these sectors.
Leistungsmodule auf SiC-Basis arbeiten mit höheren Spannungen und Temperaturen als Silizium und ermöglichen so kleinere und leichtere Komponenten für den Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen. Die Drahtsäge von Vimfun produziert waferfertige SiC-Substrate mit der für das epitaktische Wachstum erforderlichen Oberflächenebenheit.
Erfahren Sie mehr über das Schneiden von SiC-Halbleitern →
Bei der Massenproduktion von 4H-SiC ist das Abtrennen der Wafer eine Hauptursache für Materialverluste. Allein durch den Einsatz des 0,35 mm Endlosdrahts von Vimfun anstelle der Bandsäge lassen sich in diesem Schritt 2–3 zusätzliche Wafer pro Ingot gewinnen – eine signifikante Ausbeuteverbesserung.
Lesen Sie die ROI-Analyse für die Feindraht-Slicing-Methode →
Gesintertes SiC findet breite Anwendung in Gleitringdichtungen, Vorrichtungen für die Halbleiterfertigung, Panzerungen und Hochtemperaturbauteilen. Im Gegensatz zu kristallinem SiC liegt gesintertes SiC in großen Blöcken vor und erfordert verschiedene Schneidverfahren: gerades Schneiden, Konturschneiden und das Heraustrennen runder Waferrohlinge aus dem übergroßen Material.
Die SGI 20 (Konturschneiden) und SH60-R (horizontales Drehen) von Vimfun sind speziell dafür geeignet: Die SGI 20 zeichnet komplexe 2D-Profile von Sinterblöcken nach, während die SH60-R große kreisförmige Waferrohlinge aus Massivmaterial in einem einzigen Drehgang schneidet.
Entdecken Sie industrielle SiC-Schneidlösungen →Kristallines SiC und gesintertes SiC stellen unterschiedliche Anforderungen an die Bearbeitung – und erfordern daher unterschiedliche optimale Maschinen. Die drei unten aufgeführten Modelle decken die gesamte Produktpalette von Vimfun ab. SiC-Schneidlösung: precision crystal wafer slicing, large sintered block contour and profile cutting, and horizontal rotary cutting for round wafer blanks.
Sie sind sich nicht sicher, welche Maschine Ihren Anforderungen entspricht? Fordern Sie eine individuelle technische Beratung an →
Der beste Weg, um jedes SiC-Schneidlösung is to see real results. Send SiC samples to Vimfun for a free test cut and receive a full surface quality and kerf measurement report.
Senden Sie Ihr SiC-Material an Vimfun und erhalten Sie kostenlos einen kompletten Schneidtest mit Bericht zur Oberflächenqualität, Daten zur Schnittfugenmessung und Maschinenempfehlung.
Die endlose Diamantdrahtsäge ist derzeit die effizienteste. SiC-Schneidlösung Verfügbar. Mit einem Drahtdurchmesser von 0,35 mm reduziert diese SiC-Schneidlösung den Schnittverlust um 601 TP5T im Vergleich zu Bandsägen und liefert gleichzeitig eine ebenere Schnittfläche (TTV < 0,02 mm), wodurch der nachfolgende Schleifaufwand deutlich reduziert wird.
Durch den Austausch einer 1,2-mm-Bandsäge gegen Vimfuns 0,35-mm-Endlosdrahtsäge wird die Schnittfugenbreite pro Schnitt um ca. 0,85 mm reduziert. Bei einem 150 mm (6 Zoll) großen SiC-Ingot entspricht dies einer Ausbeute von 2–3 zusätzlichen Wafern pro Ingot. Angesichts der aktuellen SiC-Kristallpreise amortisiert sich die Maschineninvestition in der Regel innerhalb weniger Monate nach Produktionsbeginn.
Ja – beide Typen werden gut unterstützt, aber sie haben sehr unterschiedliche Schnittanforderungen. Kristallines SiC (4H-SiC-Boules) erfordert vor allem präzises gerades Schneiden, um bei minimalem Schnittverlust eine maximale Anzahl an Wafern zu gewinnen. Gesintertes SiC requires more diverse operations: straight slicing, 2D contour cuts for shaped parts, and cutting round wafer blanks from large blocks. The SGI 20 handles contour and profile cuts; the SH60-R excels at cutting large-diameter circular blanks from sintered blocks via horizontal rotary cutting; the SG15 serves crystal SiC R&D and sample work.
Ja. Vimfun bietet ein kostenloser Diamantdraht-Testschneidservice. Senden Sie uns Ihre SiC-Probe mit den entsprechenden Spezifikationen. Unsere Ingenieure führen den Schnitt durch und erstellen einen detaillierten Bericht über die Oberflächenqualität (Ra), die Schnittfugenbreite und die TTV – inklusive auf Ihre Produktionsanforderungen zugeschnittener Maschinenempfehlungen.
Beide Verfahren eignen sich zum Schneiden von SiC. Beim Laserschneiden entsteht eine Wärmeeinflusszone (WEZ), die die Kristallstruktur von SiC verändern kann – ein Problem bei Substraten für Halbleiter. Das Schneiden mit der Drahtsäge ist ein mechanisches Kaltverfahren, das die Kristallstruktur erhält, keine WEZ erzeugt und eine deutlich höhere Materialausbeute beim Zuschneiden von Blöcken ermöglicht.
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Machen Sie sich keine Sorgen! Wir wissen, dass die Beschaffung von Schneidemaschinen, die Ihren Anforderungen entsprechen, eine große Herausforderung sein kann. Unsere professionellen Schneideexperten stehen Ihnen jederzeit zur Seite:
